Методичні вказівки до оформлення курсових робіт з дисципліни технологічні основи електроніки



Скачати 288.08 Kb.
Дата конвертації06.11.2017
Розмір288.08 Kb.
ТипМетодичні вказівки


Міністерство освіти і науки України

Сумський державний університет




3562 МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ


до оформлення курсових робіт

з дисципліни “ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ

для студентів спеціальностей 6.05080201 − електронні прилади та пристрої, 6.05080202 − електронні системи, 6.05080102 − фізична та біомедична електроніка

денної та заочної форм навчання




Суми

Сумський державний університет


2013

Методичні вказівки до оформлення курсових робіт

з дисципліни “ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ/

укладач Н. М. Опанасюк. − Суми : Сумський державний

університет, 2013. − 28 с.
Кафедра прикладної фізики

ЗМІСТ

С.


ВСТУП............................................................................................

  1. Зміст дисципліни……...............................................................

  2. Список навчально-методичної літератури.............................

  3. Тематика курсових робіт із дисципліни.................................

  4. Структура курсової роботи .....................................................

  5. Етапи виконання курсової роботи ..........................................

  6. Робота з літературою ...............................................................

  7. Вимоги до оформлення курсової роботи ...............................

7.1. Загальні вимоги…………………......................................

7.2. Нумерація ...........................................................................

7.3. Оформлення рисунків………………………………........

7.4. Оформлення таблиць.........................................................

7.5. Формули та рівняння ........................................................

7.6.Правила оформлення списку використаних джерел..........................................................................



  1. Регламент модульно-рейтингового контролю і оцінювання курсових робіт...........................................................................

ДОДАТОК А…………..........................................................

ДОДАТОК Б…………………………………..…….............

ДОДАТОК В…………………………...………..…….........


4

5

7



9

11

13



13

14

14



14

16

16



17
18
23

25

26



27



ВСТУП
Курсова робота є важливою формою самостійного вивчення студентами матеріалів курсу, її виконання сприяє поглибленому вивченню окремих розділів дисципліни, систематизації, закріпленню та розширенню теоретичних і практичних знань, ознайомленню із сучасною інформацією та розвитком певної галузі науки на даному етапі. Курсова робота демонструє ступінь опанування студентами відповідних розділів дисципліни, здатність до критичного аналізу певної проблеми в межах обраної теми. При цьому студенти набувають навичок пошуку необхідних інформаційних джерел та матеріалів, їх аналізу та узагальненню, досвіду самостійного дослідження та викладання теоретичних і практичних питань.

У цих методичних вказівках, призначених для студентів університетів, які навчаються за напрямами підготовки «Електронні пристрої та системи» і «Мікро- і наноелектроніка», наведено зміст дисципліни, список науково-методичної літератури, приблизну тематику курсових робіт із посиланнями на літературні джерела із вищезазначеного списку, регламент модульно-рейтингового контролю і оцінювання курсових робіт із дисципліни «Технологічні основи електроніки» для студентів 3-го курсу спеціальностей 6.05080201 − електронні прилади та пристрої, 6.05080202 − електронні системи, 6.05080102 − фізична та біомедична електроніка.

У методичних вказівках викладені вимоги та рекомендації щодо оформлення курсових робіт із дисципліни «Технологічні основи електроніки», що відповідають державним стандартам України.


  1. ЗМІСТ ДИСЦИПЛІНИ

Розділ 1. ТЕХНОЛОГIЯ НАПIВПРОВIДНИКОВИХ IНТЕГРАЛЬНИХ МIКРОСХЕМ

1.1. Загальна характеристика технологічного процесу.

1.1.1. Особливостi виробництва напiвпровiдникових iнтегральних мiкросхем.

1.1.2. Мiкроклiмат та виробнича гiгiєна.

1.1.3. Елементи напівпровідникових інтегральних мікросхем.

1.1.4. Вимоги до кремнiєвих пластин.

1.1.5. Послідовність формування різних типів структур напівпровідникових мікросхем.

1.1.6. Схема технологiчного процесу.

1. 2. Легування напівпровідників.

1.2.1. Фiзичнi основи процесу термiчної дифузiї.

1.2.2. Практичнi способи проведення дифузiї.

1.2.3. Методи вивчення характеристик дифузiйних шарiв.

1.2.4. Загальна характеристика iонної iмплантацiї.

1.2.5. Фiзичнi основи процесу іонної імплантації.

1.2.6. Практичні методи проведення iонної iмплантацiї.

1.3. Епітаксія.

1.3.1. Автоепiтаксiя кремнiю хлориновим та силановим методами.

1.3.2. Молекулярно-променева епiтаксiя.

1.4. Літографія.

1.4.1. Загальна характеристика фотолiтографічного

процесу.


1.4.2. Фоторезисти.

1.4.3. Технологія фотолітографічного процесу.

1.4.4. Фотошаблони та методи їх використання.

1.4.5. Електронолiтографiя.

1.4.6. Рентгенiвська лiтографiя.

1.4.7. Іонна лiтографiя.


Розділ 2. ТЕХНОЛОГIЯ ГIБРИДНИХ IНТЕГРАЛЬНИХ МIКРОСХЕМ

2.1. Технологiя тонкоплiвкових iнтегральних мiкросхем.

2.1.1. Загальна характеристика технологічного процесу.

2.1.2. Методи нанесення тонких плівок металів.

2.1.3. Технологiя тонкоплiвкових пасивних елементів.

2.2. Технологiя товстоплiвкових iнтегральних мiкросхем.

2.2.1. Пасти для товстоплівкових пасивних елементів.

2.2.2. Трафаретний друк та впалювання елементів.

2.2.3. Пiдгонка товстоплiвкових резисторiв та

конденсаторiв.


Розділ 3. СКЛАДАННЯ МIКРОСХЕМ

3.1. Методи та етапи складання.

3.2. Роздiлення пластин та пiдкладок.

3.3. Монтаж навісних компонентів та плат.

3.4. Приєднання зовнішніх виводiв.

3.5. Складання мiкросхем на стрiчкових носiях.

3.6. Корпуси для iнтегральних мiкросхем та

напівпровідникових приладів.



3.7. Герметизацiя мiкросхем.

2. СПИСОК НАВЧАЛЬНО-МЕТОДИЧНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

  1. Готра З. Ю. Технологія електронної техніки : навч. посіб: у 2 т. / З. Ю. Готра. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка». − Т.1. − 2010. − 888 с.

  2. Готра З. Ю. Фізичні основи електронної техніки : навч. посіб: у 2 т. / З. Ю. Готра. − Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка». − Т.2. − 2010. − 884 с.

  3. Готра З. Ю. Технологія електронної техніки / З. Ю. Готра, І. Є. Лопатинський, Б. А. Лукіянець та ін. ; за ред. З. Ю. Готри. – Львів : Видавництво «Бескид Біт», 2004. – 880 с.

  4. Прищепа М. М. Мікроелектроніка : в 3 ч. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. – Київ : Вища школа. − Ч.1. Елементи мікроелектроніки. − 2004. − 432 с.

  5. Закалик Л. І. Основи мікроелектроніки / Л. І. Закалик, Р. А. Ткачук. – Тернопіль : ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998. – 352 с.

  6. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко. – Москва : Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488 с.

  7. Аваев Н. А. Основы микроэлектроники / Н. А. Аваев, Ю. Е. Наумов, В. Т. Фролкин. – Москва : Радио и связь, 1991. – 288 с.

  8. Ігумнов Д. В. Основи мікроелектроніки / Д. В. Ігумнов, Г. В. Корольов, І. С. Громов. – Київ : Вища школа, 2004.  252 с.

  9. Ефимов И. Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. – Москва : Высшая школа, 1986. – 464 с.

  10. Березин А. С. Технология и конструирование интегральных микросхем / А. С. Березин, О. Р. Мочалкина. – Москва : Радио и связь, 1992. – 320 с.

  11. Парфенов О. Д. Технология микросхем / О. Д. Парфенов. – Москва : Высшая школа, 1986. – 320 с.

  12. Бер А. Ю. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. Ю. Бер, Ф. Е Минскер. – Москва : Высшая школа, 1986. – 279 с.

  13. Ефимов И. Е. Основы микроэлектроники / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь. – Москва : Высшая школа, 1983. – 384 с.

  14. Пасынков В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков. – Москва : Высшая школа, 1980. – 406 с.

  15. Курносов А. И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин. – Москва : Высшая школа, 1986. – 368 с.

  16. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В. Н. Черняев. – Москва : Радио и связь, 1987. – 464 с.

  17. Тилл У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Мансон. – Москва : Мир, 1985. – 501 с.

  18. Моро У. Микролитография / У. Моро. – Москва : Мир, 1990. – 1240 с.

  19. Борисенко А. С. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств / А. С. Борисенко, Н. Н. Бавыкин. – Москва : Машиностроение, 1983. – 320 с.

  20. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под. ред. Л. Ченга и К. Плота. – Москва : Мир, 1989. – 584 с.

  21. Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. – Москва : Мир, 1988. – 320 с.

  22. Медведев С. А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С. А. Медведев. – Москва : Высшая школа, 1970. – 504 с.

  23. Федоров Л. П. Производство полупроводниковых приборов / Л. П. Федоров, В. М. Багров, Ю. Н. Тихонов. – Москва : Энергия, 1979. – 432 с.

  24. Опанасюк Н. М. Технологічні основи електроніки (практикуми) : навчальний посібник / Н. М. Опанасюк, Л. В. Однодворець, А. О. Степаненко. – Суми : Сумський державний університет, 2013. – 106 с.

3. ТЕМАТИКА КУРСОВИХ РОБІТ З ДИСЦИПЛІНИ


  1. Мікроклімат та виробнича гігієна у виробництві мікроелектронних приладів [1; 23 ].

  2. Загальна характеристика напівпровідникових матеріалів [1; 10; 15; 16; 22].

  3. Основні та перспективні матеріали для виробництва напівпровідникових мікросхем [1; 10; 15; 22].

  4. Технологія виготовлення напівпровідникових інтегральних мікросхем [1; 5; 10; 15; 16; 17].

  5. Технологія виготовлення гібридних інтегральних мікросхем [1; 2; 5; 7; 9; 10; 13; 17].

  6. Формування діелектричних шарів при виробництві напівпровідникових ІМС [1; 2; 5; 7; 9; 10; 13].

  7. Формування конденсаторних структур для ІМС [5; 6; 11; 13; 16].

  8. Використання МОН-структур при виготовленні мікроелектронних приладів [1; 2; 5; 9; 14].

  9. Термічне випаровування як метод виготовлення пасивних елементів ІМС [2; 5; 7; 9; 12; 14].

  10. Конструктивно-технологічні особливості та фізичні параметри активних елементів мікросхем [5; 10; 13].

  11. Методи формування тонкоплівкових пасивних елементів в інтегральних мікросхемах [2; 3; 5; 6; 7; 11; 13; 16].

  12. Технологія виготовлення тонкоплівкових резисторів [2; 5; 10; 11; 13; 16].

  13. Технологія одержання іонно-легованих структур у виробництві напівпровідникових мікросхем [1; 3; 5; 10; 11].

  14. Технологія одержання легованих шарів напівпровідникових структур методами термічної дифузії [1; 3; 5; 6; 10; 11; 13; 15; 16].

  15. Іонна імплантація як метод легування напівпровідникових матеріалів [1; 3; 5; 6; 10; 11; 13; 15; 16].

  16. Отримання високоякісних шарів кремнію методом газофазної епітаксії [1; 3; 5; 6; 10; 11; 13; 15; 16].




  1. Методи контролю характеристик дифузійних, імплантованих та епітаксійних шарів [1; 3; 5; 10; 11; 15; 16].

  2. Використання авто- і гетероепітаксії в інтегральних технологіях [1; 3; 5; 10; 11; 16].

  3. Використання молекулярно-променевої епітаксії у виробництві ІМС [1; 3; 5; 10; 11; 16; 20].

  4. Фотолітографічні процеси у технології виготовлення електронних пристроїв [2; 5; 11; 15; 18; 24].

  5. Резисти для літографії [2, 5; 11, 15, 18, 24].

  6. Фізичні та технологічні основи електронної літографії у виробництві приладів мікроелектроніки [2; 5; 11; 15; 18; 24].

  7. Рентгенолітографія в інтегральних технологіях [2; 5; 11; 15; 18; 24].

  8. Технологія виготовлення товстоплівкових елементів гібридних мікросхем [2; 5; 10; 11; 16].

  9. Монтаж кристалів у корпус та на плату гібридної мікросхеми [2; 5; 11; 12; 15].

  10. Розділення пластин та підкладок у технології виготовлення електронних приладів [2; 5; 11; 12; 15; 16].

  11. Технологічні особливості паяння та зварювання у виробництві інтегральних мікросхем [2; 5; 11; 12; 15; 16].

  12. Методи приєднання виводів в інтегральних технологіях [2; 5; 11; 12; 15; 16].

  13. Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем у корпусі [2; 5; 6; 11; 12; 15; 16].

  14. Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем із використанням пластмас [2; 5; 12; 15; 16].

  15. Технологія випробування напівпровідникових приладів та ІМС [2; 9; 12; 23].

  16. Перспективні технології в електроніці.


4. СТРУКТУРА КУРСОВОЇ РОБОТИ
Курсова робота у зброшурованому вигляді в нижче- наведеній послідовності повинна містити:

  • титульний аркуш (згідно з додатком А);

  • реферат (згідно з додатком Б);

  • зміст (згідно з додатком В);

  • вступ;

  • оригінальну частину;

  • висновки;

  • список використаних джерел;

  • додатки (якщо є необхідність).


Титульний аркуш для курсової роботи оформляється згідно з додатком А.

Реферат оформляється згідно з додатком Б, який повинен мати обсяг до 2/3 сторінки та містити таке:

  • об’єкт дослідження;

  • мету роботи;

  • методи досліджень і обладнання;

  • коротку анотацію отриманих результатів та їх новизну;

  • відомості про обсяг (кількість сторінок), кількість рисунків, таблиць, використаних літературних джерел та додатків;

  • перелік ключових слів (5−7), які мають смислове навантаження за темою роботи.

Ключові слова повинні бути надруковані з нового рядка великими літерами через кому.

Зміст містить найменування і номер початкових сторінок вступу, усіх розділів, підрозділів, пунктів, висновків, літератури, додатків. Приклад оформлення змісту наведено у додатку В.

Вступ розкриває сутність і стан наукової проблеми (завдання) та її актуальності, її теоретичне та практичне значення, зв'язок з іншими проблемами у практиці, ступінь її наукового дослідження, обґрунтовується коло обраних питань. Вступ повинен складати одну повну сторінку і закінчуватися формулюванням мети роботи.

Оригінальна (основна) частина складається із розділів, які поділяють на підрозділи, їх, у свою чергу, − на пункти, текст яких розкриває зміст теми роботи. Бажано підкреслити взаємозв’язок, логіку переходу від одного питання до іншого. Загальний обсяг тексту основної частини повинен складати 19 − 29 сторінок. Кожний розділ починається з нової сторінки, заголовки пишуться великими літерами. Заголовки другого і третього рівнів пишуться малими літерами.

Висновки повинні бути сформульовані відповідно до змісту роботи, а також містити формулювання розв’язаної наукової проблеми згідно з поставленою метою та актуальністю роботи, зазначеними у вступі, проводиться порівняння розглянутих методів дослідження, їх переваги та недоліки, наводяться конкретні числові значення отриманих параметрів, узагальнюються отримані графіки залежностей із поясненням фізичних процесів. Кількість висновків − не менше п’яти пунктів, загальний обсяг висновків становить 1 − 2 сторінки. Кожен пункт висновків нумерується наскрізною нумерацією і повинен містити, наприклад, такі слова: «Показано, що …», «Отримано …», «Установлено, що …» «Установлено відповідність між ..., що обумовлено …», «За результатами теоретичного моделювання отримано …, що пов’язано з …», «Перевагою першого методу над другим є …».

Додатки розміщують після висновків курсової роботи.



Список використаних джерел. При написанні курсової роботи студент зобов'язаний давати посилання на літературні джерела та матеріали, які використовувалися в його роботі. Такі посилання дають можливість знайти відповідні джерела й перевірити правильність цитування. Посилання на літературні джерела в тексті наводять відповідно до номера бібліографічного списку. Номер джерела записують у квадратних дужках. У літературному огляді посилання обов'язково проставляють у тексті, у підписах до рисунків і в заголовках до таблиць. Література наводиться на мові оригіналу (українською, російською, англійською та ін.).

Закінчена курсова робота повинна мати на титульному аркуші підписи студента та наукового керівника.


5. ЕТАПИ ВИКОНАННЯ КУРСОВОЇ РОБОТИ

Після складання плану роботи та узгодження його з викладачем студент послідовно виконує такі етапи підготовки роботи:

- проводить пошук інформації за темою роботи;

- систематизує та аналізує отримані дані, інші фактичні матеріали;

- вивчає літературні джерела та інформацію в Інтернеті;

- працює над написанням розділів роботи та редагуванням

тексту роботи;

- оформляє роботу згідно з вимогами.



6. РОБОТА З ЛІТЕРАТУРОЮ

У процесі вивчення літературних джерел студент повинен отримати повне уявлення про тему, коло проблем, які вона охоплює, про тенденції розвитку процесів і явищ, які розглядаються. Пошук інформації краще почати з ознайомлення з відповідними розділами навчальних посібників, узагальнювальними монографіями з обраної теми курсової роботи, після цього – із журнальних статей, надрукованих у поточному році, поступово переходячи до праць, надрукованих за попередні роки.



  1. ВИМОГИ ДО ОФОРМЛЕННЯ КУРСОВОЇ РОБОТИ

    1. Загальні вимоги

Текст роботи оформляється на папері формату А4 ( 210 х 297 мм), має обсяг від 25 до 30 сторінок стандартного тексту, враховуючи рисунки і таблиці. Набір тексту здійснюється з використанням текстового редактора Word, при цьому потрібно використовувати шрифти типу Times New Roman 14 із полуторним міжрядковим інтервалом. Текст необхідно розміщати, залишаючи поля аркуша таких розмірів: ліве – 20 мм, праве – 10 мм, верхнє та нижнє – 20 мм.

Текст основної частини роботи поділяють на розділи, підрозділи, пункти та підпункти (за необхідності).

Заголовки структурних частин "ЗМІСТ", "ВСТУП", "РОЗДІЛ", "ВИСНОВКИ", "СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ" друкують великими літерами симетрично до набору (рівняння по центру). Заголовки підрозділів друкують малими літерами (крім першої великої) з абзацного відступу. Крапку в кінці заголовка не ставлять. Якщо заголовок складається з двох або більше речень, їх розділяють крапками. Заголовки пунктів друкують малими літерами (крім першої великої) з абзацного відступу. Всі заголовки друкують жирним шрифтом та відокремлюють окремим рядком. Відстань між заголовком (розділ, підрозділ, пункт, підпункт) і текстом дорівнює 1 пустий рядок.

Кожну структурну частину роботи (розділи) потрібно починати з нової сторінки.

Рисунки й таблиці, які займають площу більше 1/3 сторінки, необхідно виносити на окремі сторінки і такі сторінки в загальний обсяг основного тексту не враховувати.

7.2. Нумерація
Сторінки роботи нумеруються арабськими цифрами без крапки у верхньому правому куті аркуша. Нумерація починається з титульного аркуша. На титульному аркуші, змісті та рефераті номер сторінки не ставиться. Додатки не нумеруються і в загальну кількість сторінок не входять.

Нумерацію сторінок, розділів, підрозділів, пунктів, підпунктів, рисунків, таблиць, формул подають арабськими цифрами без знака №, наприклад:

РОЗДІЛ 1

НАЗВА (розділ)

1.1. Назва (підрозділ)

1.1.1. Назва (пункт)


Номер розділу ставлять після слова «РОЗДІЛ», після номера крапку не ставлять, потім з нового рядка друкують заголовок розділу, наприклад:
РОЗДІЛ 1

ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ТЕРМІЧНОЇ ДИФУЗІЇ
Підрозділи нумеруються в межах кожного розділу. Номер підрозділу складається з номера розділу та порядкового номера підрозділу, між якими ставлять крапку. В кінці номера підрозділу повинна стояти крапка, наприклад: "2.3." (третій підрозділ другого розділу). Потім у тому самому рядку наводять заголовок підрозділу, наприклад:
2.3. Методи контролю дифузійних шарів
Пункти нумеруються в межах кожного підрозділу. Номер пункту складається з порядкових номерів розділу, підрозділу, пункту, між якими ставлять крапку. В кінці номера повинна стояти крапка, наприклад: "1.3.2." (другий пункт третього підрозділу першого розділу). Потім у тому самому рядку наводять заголовок пункту, наприклад:
1.3.2. Вимірювання питомого поверхневого опору
Підпункти нумерують у межах кожного пункту за такими самими правилами, як пункти.
7.3. Оформлення рисунків
Рисунки, графіки, схеми, діаграми необхідно розміщати в роботі безпосередньо після першого згадування про них у тексті, на всі ілюстрації повинні бути посилання в роботі. Номер рисунка повинен складатися з номера розділу і порядкового номера рисунка, між якими ставиться крапка (наприклад: Рис.1.1. (перший рисунок першого розділу). Номер рисунка та його назва розміщуються під ним. Якщо рисунок складається із декількох позицій, то їх необхідно нумерувати за алфавітом, при цьому літери можна ставити у верхньому правому куті або по центру під рисунком. Шрифт на рисунках повинен мати розміри основного тексту. Якщо рисунок взятий із публікації, то на неї необхідно в кінці підпису до рисунка поставити посилання на літературу в квадратних дужках.
Наприклад :

Рис. 1.1. Блок-схема високовакуумної установки [1]:

1 – робоча камера;

2 – форнасос;

3 – магніторозрядний насос
або

а б
Рис. 1.2. Кристалічні гратки неупорядкованої ГЦК (а) та упорядкованої ГЦТ (б) фаз [1]



7.4. Оформлення таблиць
Таблиці нумерують послідовно в межах розділу. У правому верхньому куті над відповідним заголовком таблиці розміщують напис «Таблиця» із зазначенням її номера. Номер таблиці повинен складатися з номера розділу та порядкового номера таблиці, між якими ставиться крапка, наприклад: Таблиця 1.2 (друга таблиця першого розділу). При перенесенні таблиці на іншу сторінку слово «Таблиця» та її номер зазначають один раз справа перед першою частиною таблиці, над іншими частинами пишуть слова «Продовж. табл.1.2». Назву таблиці наводять жирним шрифтом і розміщують посередині рядка. Таблиця розміщується після її згадуванні в тексті. Якщо таблиця взята з публікації, то в кінці підпису назви таблиці необхідно зробити посилання на літературу.

Наприклад:



Таблиця 1.1

Класифікація мікросхем за рівнем інтеграції [1]
7.5. Формули та рівняння
Формули та рівняння в тексті роботи (якщо їх більше однієї) нумерують у межах розділу подвійною нумерацію. Номер формули (рівняння) складається з номера розділу та порядкового номера формули (рівняння) у цьому розділі, розділених крапкою. Номери формул (рівнянь) пишуть у круглих дужках біля правого поля аркуша на рівні формули (рівняння), (наприклад: "(3.1)" – перша формула третього розділу) і номер присвоюють лише тим формулам (рівнянням), на які буде далі посилання.

При оформленні формул і рівнянь необхідно дотримуватися таких правил:



  • формули і рівняння потрібно відділяти від тексту в окремий рядок і розміщувати посередині рядка. Вище й нижче кожної формули і рівняння залишають по одному вільному рядку;

  • якщо формула або рівняння не вміщаються в один рядок, вони повинні бути перенесені після знака рівності (=) або після знаків плюс (+), мінус (–) і множення (). При цьому повторюють знак на початку наступного рядка;

  • посилання на формули у тексті роботи подають у круглих дужках;

  • пояснення значень символів і числових коефіцієнтів, що входять у формулу або рівняння, потрібно подавати безпосередньо під формулою або рівнянням у тій самій послідовності, у якій вони подані у формулі (рівнянні), але за винятком тих, про які вже згадувалось у тексті вище. Значення кожного символу потрібно подавати через крапку з комою з абзацу та нового рядка, перший рядок пояснення починають зі слів "де" без абзацу, наприклад:


, (1.1)

де dhkl – міжплощинна відстань (hkl – індекси Міллера);

q – кут відбиття;

n – порядок відбиття хвилі;

l – довжина хвилі.
Після розшифрування символів з абзацу йде текст (вільний рядок не залишається).


    1. Правила оформлення списку використаних джерел

Джерела розміщують одне за одним у порядку появи посилань у тексті роботи, де зазначають у квадратних дужках номер джерела.


Книга

Якщо один автор:

Прізвище та ініціали автора. Назва книги / І. П/б. Прізвище автора. − Місто : Видавництво, рік. − загальна кількість сторінок.


Наприклад:

Парфенов О. Д. Технология микросхем / О. Д. Парфенов. – Москва : Высшая школа, 2006. – 320 с.


Якщо два автори:

Прізвище та ініціали першого автора. Назва книги / І. П/б. Прізвища авторів. − Місто : Видавництво, рік. − загальна кількість сторінок.


Наприклад:

Закалик Л. І. Основи мікроелектроніки / Л. І. Закалик, Р. А. Ткачук. – Тернопіль : ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998. – 352 с.


Якщо три автори:

Прізвище та ініціали першого автора. Назва книги: що за книга? / І. П/б. Прізвища авторів. – Місто : Видавництво, рік. − загальна кількість сторінок.


Наприклад:

Проценко І. Ю. Прилади і методи дослідження плівкових матеріалів : навч. посіб. / І. Ю. Проценко, А. М. Чорноус, С. І. Проценко. − Суми : Вид-во СумДУ, 2007. − 264 с.


Якщо чотири автори:

Назва книги / І. П/б. Прізвища авторів. − Місто : Видавництво, рік. − загальна кількість сторінок.


Наприклад:

Структура, дифузійні процеси і магніторезистивні та електрофізичні властивості плівкових матеріалів : монографія / С. І. Проценко, І. В. Чешко, Л. В. Однодворець, І. М. Пазуха; за загальною редакцією проф. І. Ю. Проценка. − Суми :


Вид-во СумДУ, 2008. − 197 с.
Якщо п’ять і більше авторів:

Назва книги / І. П/б. Прізвища трьох авторів та ін. − Місто : Видавництво, рік. − загальна кількість сторінок.


Багатотомні видання:

Прізвище та ініціали першого автора. Назва книги : в 2 т. / І. П/б. Прізвища трьох авторів. – Місто : Видавництво. – Т.1: Назва 1-го тому. – Рік. – загальна кількість сторінок.


Наприклад:

Готра З. Ю. Технологія електронної техніки : навч. посіб: у 2 т. / З. Ю. Готра. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка». – Т.1. – 2010. – 888 с.


Якщо в публікації 1 > – < 3 автори, то на першу позицію виносяться прізвище та ініціали першого автора, а якщо в публікації 4 та більше авторів, то на першу позицію не виносяться прізвище та ініціали автора.
Стаття у книзі

Назва статті / І. П/б. Прізвища трьох авторів та ін. // Назва книги. − Місто : Видавництво, рік. − Том, номер. − Сторінки.

Наприклад:
Тензорезистивні властивості багатошарових плівок Ni/V, Ni/Ti та Cr/Fe / В. В. Бібик, Т. М.  Гричановська, Л. В. Однодворець та ін. // Харьковская нанотехнологическая Ассамблея – 2007. − Харків, 2007. − Том ІІ. Тонкие пленки. − С. 108 – 119.
Журнальна стаття

Назва статті / І. П/б. Прізвища трьох авторів та ін. // Назва журналу. − Рік. − Том, номер. − Сторінки.


Наприклад:

Electrophysical properties of Ni/V and Cr/Fe multilayer / L. Odnodvorets, S. Protsenko, O. Synashenko et аll. // Cryst. Res. Technol. − 2008. − Vоl. 44. − P. 74−81.


Тези доповіді

Назва тез / І. П/б. Прізвища трьох авторів та ін. // Назва конференції. − Місто : Видавництво, рік. − Сторінка.


Наприклад:

Магніторезистивні властивості плівкових матеріалів на основі Fe і Pd та Fe і Cu / Л. В. Однодворець, О. В. Синашенко, О. П. Ткач та ін. // Матеріали ІІ Міжнародної конференції «Сучасні проблеми фізики конденсованого стану». − Київ :  КНУ ім. Т. Г. Шевченка, 2010. − С. 17.



Дисертація

Прізвище та ініціали автора. Назва дисертації : дис. ... науковий ступінь : шифр спеціальності / П. І. П/б повністю. − Місто, рік. − кількість сторінок.


Наприклад:

Сынашенко О. В. Электро- и магниторезистивные свойства пленочных систем на основе Cr, Cu и Fe в условиях взаимной диффузии атомов : дисс. … кандидата физ.-мат. наук : 01.04.07/ Сынашенко Оксана Владимировна. − Сумы, 2011.− 157 с.


Автореферат дисертації

Прізвище та ініціали автора. Назва дисертації : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. фіз.-мат. наук : спец. шифр «Назва спеціальності» / П. І. П/б повністю. − Місто, рік. − кількість сторінок.


Наприклад:

Великодний Д. В. Тензорезистивні властивості плівкових систем Cu/Cr і Fe/Cr в області пружної і пластичної деформації : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. фіз.-мат. наук : спец. 01.04.01 «Фізика приладів, елементів і систем» / Великодний Дмитро Володимирович. − Суми, 2009. − 24 с.


Посилання на інтернет−сторінки
Посилання – назва сторінки, дата доступу : число.

Наприклад:

1. http://ru.wikipedia.org/wiki/ – Світлодіод, дата доступу : 06.04.2012 р.

8. РЕГЛАМЕНТ МОДУЛЬНОРЕЙТИНГОВОГО КОНТРОЛЮ І ОЦІНЮВАННЯ КУРСОВИХ РОБІТ

студентів 3-го курсу (спеціальностей 6.05080201 − електронні прилади та пристрої, 6.05080202 − електронні системи, 6.05080102 − фізична та біомедична електроніка)


1. Організація навчального процесу: семестрів викладання – 1.

2. Шкала оцінювання з навчальної дисципліни: R = 100 балів.

3. Розподіл рейтингових балів за видами роботи:

3.1. За зміст, формулювання актуальності та мети роботи, розкриття теми роботи – 15 балів;

3.2. Активність студента на заняттях – 5 балів.

3.3. Оформлення курсової роботи:



3.3.1. Обсяг основного тексту роботи – 15 балів, а саме:

– 28–30 с. – 5 балів;

– 25–27 с. – 4 бали.

3.3.2. Використання комп’ютерної графіки 15 балів, а саме:

– оформлення тексту курсової роботи – 1−5 балів;

– оформлення літератури – 1−5 балів;

– оформлення рисунків і таблиць – усього1−5 балів, а саме:

– рисунки і таблиці, виконані самостійно, – 5 балів;

– відскановані рисунки з розпізнаванням і оформленням згідно з вимогами – 2–4 бали залежно від якості;

– відскановані без редагування – 1 бал.

3.3.3. Висновки:


  • конкретні висновки з роботи (зазначені числові значення, зроблене порівняння процесів…) – 410 балів;

– наявність загальних висновків – 1–3 бали.

3.4. Кількість використаних літературних посилань:



  • не менше 20 джерел, у т.ч. зарубіжні публікації, які відповідають тематиці роботи, з обов’язковими посиланнями в тексті – 5 балів;

  • менше 20 джерел, які відповідають тематиці роботи, з обов’язковими посиланнями в тексті – 1–4 бали;

  • посилання на сучасні літературні джерела (від 2005 р.) (не сайти), не менше 5 посилань – 5 балів.

3.5. Наявність плакатів або презентації15 балів;

3.6. Якість плакатів або презентації 15 балів

3.7. Захист курсової роботи зроблений вчасно: разом 30 балів, а саме :


  • доповідь 10–15 хвилин – 1–15 балів;

відповіді на запитання:

  • відповіді точні і повні – 13–15 балів;

  • відповіді точні, але неповні – 6–12 балів;

  • відповіді неточні на всі запитання – 1–5 балів;

  • відповіді на запитання відсутні – 0 балів.


4. Підсумкове семестрове оцінювання навчальної роботи студента
Підсумкова семестрова оцінка за національною шкалою оцінювання та шкалою ЕСТS відповідно до накопичених рейтингових балів визначається із співвідношень:


Шкала оцінювання ECTS

Визначення


Національна пятибальна шкала оцінювання

Сума балів

(R)

А

Відмінне виконання лише з незначною кількістю помилок

5,0 (відмінно)

90–100

В

Вище середнього рівня з кількома помилками

4,0 (добре)

82–89

С

У загальному правильна робота з певною кількістю помилок

74–81

D

Непогано, але зі значною кількістю недоліків

3,0 (задовільно)


64–73

Е

Виконання задовольняє мінімальні критерії

60–63

FX

Можливе повторне складання

2,0 (незадовільно)


35–59

F

Необхідний повторний курс із навчальної дисципліни

0–34

Додаток А

(довідковий)
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

СУМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Факультет електроніки та інформаційних технологій

Кафедра прикладної фізики

Курсова робота

з дисципліни «Технологічні основи електроніки»



НАЗВА КУРСОВОЇ РОБОТИ

Студент гр. ЕП-00 І. П/б. Прізвище


Науковий керівник,

науковий ступінь, посада (без назви кафедри) І. П/б. Прізвище


Суми − рік

Додаток Б

(довідковий)


Р Е Ф Е Р А Т
Об’єктом дослідження курсової роботи є…( Об’єктом дослідження можуть бути процеси або явища)

Мета роботи полягає у …

Під час виконання роботи використовувалися … методи … та … прилади.

У роботі проведені експериментальні дослідження…, проведений розрахунок…, отримано коефіцієнти…, установлено..., що обумовлено…



(наводиться коротка анотація отриманих результатів).

Робота викладена на __ сторінках, у тому числі містить ___ рисунків, __ таблиць, список цитованої літератури із ___ джерел.

КЛЮЧОВІ СЛОВА: …, …, … (не менше 5 слів або словосполучень, якими можна характеризувати всю роботу).
Весь реферат повинен становити 2/3 сторінки.
Додаток В
(довідковий)
ЗМІСТ

С.

ВСТУП…………………………...……………………..…...3



РОЗДІЛ 1. НАЗВА ПЕРШОГО РОЗДІЛУ ….…………..4

    1. Назва підрозділу……………………………………..5

1.1.2. Назва пункту……………………………..........7

    1. Назва підрозділу…………….……………………...10

1.2.1. Назва пункту………………………………....13

РОЗДІЛ 2. НАЗВА ДРУГОГО РОЗДІЛУ………..……..15

    1. Назва підрозділу…………………………..………...16

    2. Назва підрозділу…………………………………….18

РОЗДІЛ 3. НАЗВА ТРЕТЬОГО РОЗДІЛУ………….......20

    1. Назва підрозділу……………………………..…........22

    2. Назва підрозділу……………………………………..24

ВИСНОВКИ…………………………………………..........28

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ……………….29

ДОДАТКИ………………………………………..…….......30




Каталог: library -> docs -> rio -> 2013
2013 -> Методичні вказівки до проведення практичних та семінарських занять І самостійної роботи з дисципліни «Складання процесуальних документів»
2013 -> Методичні вказівки для підготовки до практичних занять для студентів спеціальностей «Економіка підприємства»
2013 -> Методичні вказівки до проведення практичних (семінарських), індивідуальних занять та самостійної роботи із дисципліни «Кримінальний процес України»
2013 -> Методичні вказівки до проведення практичних (семінарських), індивідуальних занять та самостійної роботи із дисципліни «Організація судових та правоохоронних органів України»
2013 -> Конспект лекцій з дисципліни «Теорія перекладу»
2013 -> Методичні вказівки до лекційних, практичних занять
2013 -> Програма практики для студентів напряму підготовки 050701
2013 -> Методичні вказівки до виконання кваліфікаційної роботи для студентів спеціальності 030504 "Економіка підприємства" для усіх форм навчання
2013 -> Методичні вказівки до виконання практичних робіт, самостійної роботи та одз з курсу «патентно-кон’юнктурні дослідження»

Скачати 288.08 Kb.

Поділіться з Вашими друзьями:




База даних захищена авторським правом ©uchika.in.ua 2020
звернутися до адміністрації

    Головна сторінка